近日，美國頂尖學府哈佛大學在德克薩斯州聯(lián)邦法院對韓國科技巨頭三星電子提起訴訟，指控其在微處理器與存儲器芯片制造領(lǐng)域侵犯了該校持有的兩項專利。這些專利涉及的技術(shù)被應用于三星的多款旗艦手機，包括Galaxy S22和Galaxy Z Flip5等。

從起訴書中了解到，哈佛大學的化學教授羅伊·戈登（Roy Gordon）及其團隊在2009年與2011年獲得的兩項專利，涉及用于沉積含有鈷或鎢金屬的薄膜的新工藝和材料，分別名為“用于銅互連的氮化鈷層及其形成方法”與“氮化鎢的氣相沉積”。

哈佛大學稱，“這些材料對于制造計算機和手機等產(chǎn)品的關(guān)鍵部件至關(guān)重要”。三星在未經(jīng)授權(quán)的情況下，使用這些專利技術(shù)生產(chǎn)微處理器和存儲器芯片。

哈佛大學認為三星電子在代工高通驍龍 8 Gen 1 處理器等的過程中，侵犯哈佛大學同氮化鈷薄膜制備有關(guān)的專利，涉及三星 S22 智能手機等產(chǎn)品。

而三星在生產(chǎn) LPDDR5X 等內(nèi)存時，在未經(jīng)授權(quán)的情況下實踐了哈佛大學鎢層沉積專利中至少一項權(quán)利要求的每個要素，三星的 Galaxy Z Flip5 折疊屏手機即使用了相關(guān) LPDDR5X 內(nèi)存產(chǎn)品。

哈佛大學在訴訟中要求法院判決三星電子停止侵權(quán)行為，并支付一筆金額不詳?shù)馁r償金。哈佛大學的代理律師在訴狀中指出，三星明知故犯，在其芯片、智能手機以及半導體設(shè)備中擅自使用了這些專利技術(shù)。

公開資料顯示，三星電子在過去五年內(nèi)在美國面臨超過400起專利侵權(quán)訴訟，涉及半導體制造、顯示器制造以及智能手機等多個領(lǐng)域。

然而據(jù)市場調(diào)研機構(gòu)國際數(shù)據(jù)公司(IDC)12日發(fā)布的數(shù)據(jù)，今年第一季度，三星電子的半導體銷售額為148.73億美元，同比猛增78.8%，在全球半導體制造商中依然位居首位。英特爾(121.39億美元)、SK海力士(90.74億美元)、美光(58.24億美元)排在其后。

此訴訟案可能會對三星電子的全球業(yè)務產(chǎn)生影響，尤其是在其作為全球半導體市場領(lǐng)導者的背景下。若哈佛大學勝訴，可能會對三星的芯片制造和智能手機業(yè)務造成一定打擊，并可能改變其在半導體行業(yè)的市場策略。

專利訴訟在智能手機領(lǐng)域是一個常見的問題，在高科技行業(yè)中，專利權(quán)的保護和管理是企業(yè)競爭中的重要方面。企業(yè)可以通過采取適當?shù)姆刹呗?，如專利交叉許可、談判、反訴、專利無效宣告等有效應對。這些策略可以幫助公司在面對專利糾紛時保持競爭力或避免市場落后。

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