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本項(xiàng)目提供一種絕緣體上含鍺薄膜結(jié)構(gòu)的制備方法,包括以下步驟:S1:提供一sSOI襯底,在張應(yīng)變頂層硅表面外延生長(zhǎng)一預(yù)設(shè)Ge組分的單晶SiGe薄膜;所述張應(yīng)變頂層硅的晶格長(zhǎng)度與所述單晶SiGe薄膜的晶格長(zhǎng)度相等;S2:在所述單晶SiGe薄膜表面形成一Si帽層;S3:將步驟S2獲得的結(jié)構(gòu)進(jìn)行鍺濃縮,形成自下而上依次包含有背襯底、埋氧層、含鍺薄膜及SiO2層的疊層結(jié)構(gòu);S4:腐蝕掉所述疊層結(jié)構(gòu)表面的SiO2層以得到絕緣體上含鍺薄膜結(jié)構(gòu)。本發(fā)明通過選擇合適張應(yīng)變頂層硅及相應(yīng)含鍺組分的單晶SiGe薄膜,使得張應(yīng)變頂層硅與其上的單晶SiGe薄膜的晶格匹配,從而降低缺陷來源,能夠獲得高質(zhì)量的SGOI或GOI材料。
序號(hào) | 專利號(hào) | 專利名稱 | 專利類型 | 專利狀態(tài) | 其他資料 |
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1 |
一種絕緣體上含鍺薄膜結(jié)構(gòu)的制備方法 |
發(fā)明專利 |
已下證 |
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1.營(yíng)業(yè)執(zhí)照或事業(yè)單位法人證書復(fù)印件
1.營(yíng)業(yè)執(zhí)照或事業(yè)單位法人證書復(fù)印件
2.許可備案申請(qǐng)表中相關(guān)資料
3.專利證書原件
1.身份證復(fù)印件
2.許可備案申請(qǐng)表中相關(guān)資料
3.專利證書原件