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“異質(zhì)結(jié)”是指兩種或兩種以上半導(dǎo)體相接觸所形成的界面區(qū)域。隨著科學(xué)技術(shù)的發(fā)展,半導(dǎo)體材料和納米技術(shù)的結(jié)合越來越密切,納米異質(zhì)結(jié)具有納米材料的表面效應(yīng)、量子尺寸效應(yīng)、宏觀量子隧道效應(yīng)和介電限域效應(yīng)等性質(zhì),與傳統(tǒng)固體材料相比具有很多優(yōu)點。
Ag2S是一種n型質(zhì)結(jié)禁帶半導(dǎo)體材料,Ag2S具有良好的光電和熱電效應(yīng),因而被廣泛地應(yīng)用于發(fā)光材料、紅外光譜檢測器和光纖維通訊等領(lǐng)域。Au納米材料具有生物親和性和相容性好的特點,被廣泛應(yīng)用于生物傳感領(lǐng)域,然而傳統(tǒng)的Au納米材料制備條件較為苛刻,合成過程繁瑣,因而尋找簡便快捷的Au納米材料合成方法有助于生物分析領(lǐng)域的研究進展。同時,將Ag2S和Au納米材料相結(jié)合的復(fù)合材料,不僅能保留半導(dǎo)體的優(yōu)異光電性能,還能提升材料的生物分析性能,擴大異質(zhì)結(jié)材料的應(yīng)用范圍。
本發(fā)明的目的是提供一種制備Au-Ag2S-Pb3(PO4)2異質(zhì)結(jié)納米薄膜的方法。
具體步驟為:
(1)將事先裁好的ITO導(dǎo)電玻璃電極,分別經(jīng)由分析純丙酮、分析純乙醇和二次水超聲清洗5min,干燥后用萬能表測出導(dǎo)電面待用。
(2)依次量取1mL濃度為0.2mol/L Pb(NO3)2、1mL濃度為0.2mol/L EDTA、3.5mL濃度為0.3mol/L Na2S2O3和4mL濃度為1.25mol/L Na2SO4溶液置于20mL燒杯中均勻混合,制得電沉積PbS薄膜的底液。
(3)在步驟(2)中制得的電沉積PbS薄膜的底液中建立三電極體系,其中,工作電極為步驟(1)中制得的導(dǎo)電玻璃電極,對電極為Pt電極,參比電極為Ag/AgCl電極,用循環(huán)伏安法進行電沉積,電位掃描范圍為-1.0V~0V,掃描速度為0.05V/s,掃描段數(shù)為40~120。電沉積結(jié)束后,將電極取出并用二次水沖洗干凈,空氣烘干后即可得到PbS薄膜。
(4)將步驟(3)制得的PbS薄膜置于250℃管式爐,氮氣氛圍中加熱1h,待管式爐等卻后將PbS薄膜取出。
(5)于20mL的玻璃瓶中依次加入700μL濃度為0.02mol/L的Na2HPO4溶液,80μL濃度為0.01mol/L的AgNO3溶液,100μL質(zhì)量分數(shù)為1%的十二烷基苯磺酸鈉溶液,7mL二次水,制得生長Ag2S-Pb3(PO4)2薄膜的生長液,將步驟(4)中制得的PbS薄膜正面朝上放入生長溶液中,于60℃恒溫水浴中反應(yīng)24h后取出PbS薄膜,以二次水沖洗干凈,烘干即可得到Ag2S-Pb3(PO4)2薄膜。
(6)于20mL的玻璃瓶中依次加入300μL濃度為0.2mol/L、pH為6的HAc-NaAc緩沖溶液,15μL~100μL質(zhì)量分數(shù)為1%的氯金酸溶液,80μL濃度為0.2mol/L的十六烷基三甲基氯化銨溶液,7mL二次水,制得生長Au-Ag2S-Pb3(PO4)2薄膜的生長液,將步驟(4)中制得的Ag2S-Pb3(PO4)2薄膜置正面朝上放入該生長液中,于60℃恒溫水浴反應(yīng)0.5h~24h后取出,以二次水沖洗干凈,烘干即可得到Au-Ag2S-Pb3(PO4)2納米異質(zhì)結(jié)薄膜。
本發(fā)明方法的優(yōu)點如下:
(1)本發(fā)明方法制得的Au-Ag2S-Pb3(PO4)2納米異質(zhì)結(jié)薄膜綜合了無機材料、半導(dǎo)體材料和納米材料的優(yōu)良特性,在光電化學(xué)、生物分析以及環(huán)保等領(lǐng)域中展現(xiàn)出廣闊的應(yīng)用前景。
(2)本發(fā)明方法制備過程簡單,試劑消耗量小,成本低,易于大規(guī)模生產(chǎn)。
序號 | 專利號 | 專利名稱 | 專利類型 | 專利狀態(tài) | 其他資料 |
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1 |
一種制備金-硫化銀-磷酸鉛異質(zhì)結(jié)納米薄膜的方法 |
發(fā)明專利 |
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